삼성전자가 글로벌 IT시장을 중심으로 증가하는 3D V낸드플래시(V-NAND) 수요에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식’을 실시했다고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 체결하고 향후 3년간 총 70억 달러를 투자하기로 했다.

2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고 현지 시장 요구에 원활히 대응할 수 있을 것으로 삼성전자는 기대했다.

김기남 삼성전자 사장은 “시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공해 글로벌 IT 시장 성장에 지속적으로 기여하겠다”고 말했다.

조선희 기자 다른기사 보기