삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’을 양산한다.
삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 양산하고 있다고 20일 밝혔다.
작년 2월 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산하며 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월 만에 반도체 미세공정 한계를 극복했다.
차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다.
삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3보다 용량·속도·소비전력효율을 2배 향상한 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.
한편 2세대 10나노급 D램 제품에는 초고속·초절전·초소형 회로 설계, 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, 2세대 에어 갭 공정 등 세 가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.
2세대 10나노급 D램은 초고속·초절전·초소형 회로 설계를 기반으로 기존 1세대 10나노급 D램보다 속도는 10% 이상 향상됐고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다.
초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계 기술은 초정밀 전압 차이 감지 시스템 개발로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 향상시킨 기술이다.
2세대 에어 갭 공정은 전류가 흐르는 비트라인 주변의 미세 영역을 특정 물질 대신 절연 효과가 뛰어난 공기로 채우는 공정 기술이다. 비트라인 주변에서 발생되는 불필요한 전하량을 최소화해 초고감도 셀 개발이 가능하며 셀 배열의 집적도를 향상시켜 칩 사이즈를 대폭 줄일 수 있다.
진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 방침”이라고 말했다.
