삼성전자가 2세대 10나노급(1y) ‘8Gb DDR4 서버 D램’(2017년11월)을 양산한지 8개월 만에 ‘16Gb LPDDR4X 모바일 D램(2018년7월)’ 양산에 돌입했다.
삼성전자는 업계 최초로 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR4X 모바일 D램 양산을 시작했다고 26일 밝혔다.
이달부터 평택캠퍼스에서 D램 생산을 본격 시작해 최첨단 모바일 D램 수요 확대에 더욱 안정적으로 공급할 수 있는 체제를 확보했다.
‘2세대 10나노급(1y) 16Gb LPDDR4X D램’은 기존 20나노급(2y) 4Gb LPDDR3 모바일 D램보다 속도와 생산성이 2배 향상됐다.
최신 플래그십 스마트폰에 탑재된 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4X와 동작속도(4266Mb/s)는 동일하나 소비전력량이 10% 절감돼 배터리 사용시간을 더욱 늘릴 수 있다.
특히 16Gb 칩 4개가 탑재된 8GB D램 패키지는 초당 34.1GB의 데이터를 전송할 수 있으며 1세대보다 패키지의 두께가 20% 이상 감소돼 슬림한 모바일 기기를 디자인할 수 있도록 지원한다.
삼성전자는 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 D램 제품군의 비중을 70% 이상으로 확대한다는 전략이다.
또 ‘10나노급 8GB 모바일 D램’의 사업 영역을 기존 플래그십 모바일 시장에서 하이엔드 시장까지 확대해 더 많은 소비자들에게 최신 메모리 탑재로 인한 사용 편의성을 제공할 계획이다.
전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 “16Gb LPDDR4X D램 칩 기반의 다양한 용량의 라인업(4GB·6GB·8GB)을 제공해 기존 모바일 D램 시장을 빠르게 전환해 나갈 계획”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 확대해 ‘초고속·고용량·초절전’ 메모리 시장 트렌드를 주도하겠다”고 말했다.
